在芯片之间以及芯片和电路板之间传输通信信号是世界各地研究者密集研究的最重要的领域之一。现在美国西雅图华盛顿大学(UniversityofWashington )和加利福尼亚州斯坦福大学(StanfordUniversity )已经开发出了可以利用电子调制修改光通信的纳米级芯片激光技术用芯片激光器制作的材料大部分与硅基板完全不同,但研究者们期待在标准硅芯片上集成厚度0.7nm的原子级激光器。
现在,我们在硒三明治之间利用了钨光子腔,但希望将来氮化硅会超过完全相同的结果,电子工程教授ArkaMajumdar做出响应。ArkaMajumdar与研究员小东xum及其博士学生助理SanfengWu共同开展了这项研究。
纳米激光构建芯片上的光学传输可以利用厚度只有3原子的超薄半导体材料,发射光子空洞,扩展到发射光。根据Majumdar和Wu的响应,该厚度约3原子的材料是现在最厚的半导体,不仅具备超高能量效率,还需要仅用27nW的信号展开电光调制,作为芯片上通信的理想自由选择。
这种新材料也期待着其他研究小组,利用这种新半导体构筑了LED、太阳能电池和晶体管。使用这种材料制造纳米激光器,必须制造能够集中于光的光限制腔,由钨系材料层成形。这些材料的优点可以调整,用于以标准频率构建芯片上、芯片之间和板级之间的通信。其次,该研究小组仔细分析了材料的特性,使用氮化硅材料展开实验,期待进一步的进展。
这项研究由美国空军办公室的科学研究、国家科学基金会(NSF )、华盛顿的清洁能源研究所、美国能源局、欧洲委员会(EC )等获得资金赞助。
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